EPC2110ENGRT

Зургийг лавлагаа болгон авсан тул бодит зургийг авахын тулд бидэнтэй холбоо барина уу

Үйлдвэрлэгч хэсэг	EPC2110ENGRT
Үйлдвэрлэгч	EPC
Тодорхойлолт	GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
Ангилал	салангид хагас дамжуулагч бүтээгдэхүүн
Гэр бүл	транзисторууд - фетүүд, mosfets - массивууд
Амьдралын мөчлөг:	New from this manufacturer.
Хүргэлт:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Төлбөр	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Datasheet	EPC2110ENGRT PDF

Бэлэн байдал

InStock	261187
Нэгжийн үнэ	$ 2.37000

EPC2110ENGRT Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team rfq@www.zhschip.com

EPC2110ENGRT Үзүүлэлтүүд

Төрөл	Тодорхойлолт
цуврал:	eGaN®
багц:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
хэсгийн байдал:	Active
fet төрөл:	2 N-Channel (Dual) Common Source
fet онцлог:	GaNFET (Gallium Nitride)
хүчдэлийн эх үүсвэр рүү урсгах (vdss):	120V
гүйдэл - тасралтгүй ус зайлуулах (id) @ 25 ° c:	3.4A
rds дээр (хамгийн их) @ id, vgs:	60mOhm @ 4A, 5V
vgs(th) (хамгийн их) @ id:	2.5V @ 700µA
хаалганы төлбөр (qg) (хамгийн их) @ vgs:	0.8nC @ 5V
оролтын багтаамж (ciss) (макс) @ vds:	80pF @ 60V
хүч - хамгийн их:	-
Үйлдлийн температур:	-40°C ~ 150°C (TJ)
суурилуулах төрөл:	Surface Mount
багц / хайрцаг:	Die
нийлүүлэгч төхөөрөмжийн багц:	Die

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.